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产品分类

全部 气体流量计 液体流量计 测控分析 其它控制辅件

应用领域

半导体&泛半导体领域 生物医疗领域
MFCW-01 Model
薄膜沉积 离子注入 刻蚀工艺 单晶圆清洗
测量介质 气体
量程范围(N2 Eqv) 2SCCM-10SCCM
控制范围 量程比50:1, 100:1可选
响应时间 ≤1.0sec
精度等级 ≤ 设定值的±1%
线性度 ≤ 满量程的 0.5%
重复性 ≤ 满量程的± 0.2%
耐压 橡胶:Max 1.5 MPa ;金属:Max 3 MPa
MFCW-02 Model
薄膜沉积 离子注入 刻蚀工艺 单晶圆清洗
测量介质 气体
量程范围(N2 Eqv) 10SCCM-5SLM
控制范围 量程比50:1, 100:1可选
响应时间 ≤1.0sec
精度等级 ≤ 设定值的±1%
线性度 ≤ 满量程的 0.5%
重复性 ≤ 满量程的± 0.2%
耐压 橡胶:Max 1.5 MPa ;金属:Max 3 MPa
MFCW-03 Model
薄膜沉积 离子注入 刻蚀工艺 单晶圆清洗
测量介质 气体
量程范围(N2 Eqv) 5SLM-50SLM
控制范围 量程比50:1, 100:1可选
响应时间 ≤1.0sec
精度等级 ≤ 设定值的±1%
线性度 ≤ 满量程的 0.5%
重复性 ≤ 满量程的± 0.2%
耐压 橡胶:Max 1.5 MPa ;金属:Max 3 MPa
MFCW-04 Model
薄膜沉积 离子注入 刻蚀工艺 单晶圆清洗
测量介质 气体
量程范围(N2 Eqv) 50SLM-100SLM
控制范围 量程比50:1, 100:1可选
响应时间 ≤1.0sec
精度等级 ≤ 设定值的±1%
线性度 ≤ 满量程的 0.5%
重复性 ≤ 满量程的± 0.2%
耐压 橡胶:Max 1.5 MPa ;金属:Max 3 MPa
MFCW-05 Model
薄膜沉积 离子注入 刻蚀工艺 单晶圆清洗
测量介质 气体
量程范围(N2 Eqv) 100SLM-300SLM
控制范围 量程比50:1, 100:1可选
响应时间 ≤1.0sec
精度等级 ≤ 设定值的±1%
线性度 ≤ 满量程的 0.5%
重复性 ≤ 满量程的± 0.2%
耐压 橡胶:Max 1.5 MPa ;金属:Max 3 MPa
MFCW-06 Model
薄膜沉积 离子注入 刻蚀工艺 单晶圆清洗
测量介质 气体
量程范围(N2 Eqv) 50SLM-200SLM
控制范围 量程比50:1, 100:1可选
响应时间 ≤1.0sec
精度等级 ≤ 设定值的±1%
线性度 ≤ 满量程的 0.5%
重复性 ≤ 满量程的± 0.2%
耐压 橡胶:Max 1.5 MPa ;金属:Max 3 MPa
MFCW-07 Model
薄膜沉积 离子注入 刻蚀工艺 单晶圆清洗
测量介质 气体
量程范围(N2 Eqv) 300SLM-500SLM
控制范围 量程比50:1, 100:1可选
响应时间 ≤1.0sec
精度等级 ≤ 设定值的±1%
线性度 ≤ 满量程的 0.5%
重复性 ≤ 满量程的± 0.2%
耐压 橡胶:Max 1.5 MPa ;金属:Max 3 MPa
MFCW-08 Model
薄膜沉积 离子注入 刻蚀工艺 单晶圆清洗
测量介质 气体
量程范围(N2 Eqv) 500SLM-2000SLM
控制范围 量程比50:1, 100:1可选
响应时间 ≤1.0sec
精度等级 ≤ 设定值的±1%
线性度 ≤ 满量程的 0.5%
重复性 ≤ 满量程的± 0.2%
耐压 橡胶:Max 1.5 MPa ;金属:Max 3 MPa
MFCW-09 Model
薄膜沉积 离子注入 刻蚀工艺 单晶圆清洗
测量介质 气体
量程范围(N2 Eqv) 10SCCM-20SLM
控制范围 量程比50:1, 100:1可选
响应时间 ≤1.0sec
精度等级 ≤ 设定值的±1%
线性度 ≤ 满量程的 0.5%
重复性 ≤ 满量程的± 0.2%
耐压 橡胶:Max 1.5 MPa ;金属:Max 3 MPa